[发明专利]用旋转坩锅与熔盐提拉法相结合的方法生长RE3+:KGd(WO4)2激光晶体无效
| 申请号： | 01139540.0 | 申请日： | 2001-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1421551A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 涂朝阳;吴柏昌;李坚富;朱昭捷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B9/12;C30B15/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 福州科扬专利事务所 | 代理人： | 徐开翟,林朝熙 |
| 地址： | 3500*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明阐述采用旋转坩锅与熔盐提拉法相结合的方法生长大尺寸的RE3+KGd(WO4)2激光晶体，RE3+KGd(WO4)2(简称REKGW)是一种低阈值，优良的多波长激光晶体材料。旋转坩埚法(ACRT)是指在正反方向周期性地加速和减速旋转坩埚的技术，是一种能够很有效地提高质能输运速率和抑制多核生长的方法。采用坩埚正反方向周期性旋转，最大转速为－100rpm～100rpm，周期为1.5～5分钟，把旋转坩埚法结合到生长RE3+KGd(WO4)2激光晶体的熔盐提拉法中，可以大大地提高晶体的生长速率和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转 熔盐提拉 法相 结合 方法 生长 re3 kgd wo4 激光 晶体 | ||
【主权项】：
1.用旋转坩锅与熔盐提拉法相结合的方法生长RE3+：KGd(WO4)2激光晶体(简称REKGW)，其中RE为稀土元素Nd、Yb等，该方法是将旋转坩锅法和熔盐提拉法相结合，采用分析纯的WO3和K2CO3，光谱纯的RE2O3、Gd2O3为原料，以K2WO4作为助熔剂，进行REKGW激光晶体生长的方法，其特征在于：(1)坩锅的正反方向旋转速率为-100rpm～100rpm，周期为1.5～5分钟；(2)籽晶的转动速率为4.5～15rpm；(3)晶体的提拉速率为3～5mm/d；(4)籽晶取向为b；(5)在熔体温度为980℃左右下籽晶，半小时后待熔体温度降至饱和温度950℃时，开始以2～5℃/d的速率降温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01139540.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：消毒酊
- 下一篇：锂锰掺杂复合氧化物正极材料的制备方法
