[发明专利]罩幕式只读存储器的结构与制造方法

摘要

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法是于基底上形成多个具有顶盖层的导体条状物后，于每一个导体条状物的侧壁形成第一间隙壁与第二间隙壁，且第一间隙壁与第二间隙壁下方的基底分别作为第一预定编码区与第二预定编码区。于第一间隙壁与第二间隙壁之间的基底中形成多条埋入式位线后，进行编码布植工艺，依次以第一、第二倾斜角离子植入步骤，分别于部分的第一、第二预定编码区形成多个第一、第二编码掺杂区。在移除顶盖层后，于基底上形成导体层。并定义导体层与导体条状物，以同时形成多条字符线与多个栅极。

主权项

1、一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：于一基底中形成多个具有一顶盖层的导体条状物；于每一导体条状物的侧壁形成一第一间隙壁与一第二间隙壁，其中该些第一间隙壁下方的该基底为一第一预定编码区，该些第二间隙壁下方的该基底为一第二预定编码区；于该些第一间隙壁与该些第二间隙壁之间的该基底中形成多条埋入式位线；于该基底上形成一第一编码罩幕，进行一第一倾斜角离子植入步骤，以在部分的该些第一预定编码区形成多个第一编码掺杂区；去除该第一编码罩幕；于该基底上形成一第二编码罩幕，进行一第二倾斜角离子植入步骤，以在部分的该些第二预定编码区形成多个第二编码掺杂区；去除该第二编码罩幕；去除该顶盖层；于该基底上形成一第一导体层；以及定义该第一导体层并同时定义该些导体条状物，以同时形成多条字符线与多个栅极。