[发明专利]非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法无效
| 申请号： | 01139666.0 | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1423320A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 欧文;钱鹤;李明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 10002*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法,该方法包括如下步骤步骤1在硅衬底上制作出有源区和场氧区,场氧区用于器件之间的隔离,有源区为载流子的工作区和引线区；步骤2在硅衬底上干法刻蚀出一个槽,形成该结构的台面；步骤3做出栅氧化层,用于存储器件的隧穿氧化层；步骤4做一氮化硅侧墙,用于在沟道中间形成高阈值区；步骤5在栅氧上淀积第一层多晶硅,用于作存储器件的浮栅；步骤6生长一层氧化硅/氮化硅/氧化硅复合介质膜,用于作多晶硅间介质；步骤7生长第二层多晶硅,用作存储器件的控制栅；步骤8源漏区的N型扩散,形成源漏接触区和存储器件的擦除区域。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 结构 挥发性 存储器 单元 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种非平面结构的非挥发性存储器单元的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在硅衬底上制作出有源区和场氧区，场氧区用于器件之间的隔离，有源区为载流子的工作区和引线区；步骤2：在硅衬底上干法刻蚀出一个槽，形成该结构的台面；步骤3：做出栅氧化层，用于存储器件的隧穿氧化层；步骤4：做一氮化硅侧墙，用于在沟道中间形成高阈值区；步骤5：在栅氧上淀积第一层多晶硅，用于作存储器件的浮栅；步骤6：生长一层氧化硅/氮化硅/氧化硅复合介质膜，用于作多晶硅间介质；步骤7：生长第二层多晶硅，用作存储器件的控制栅；步骤8：源漏区的N型扩散，形成源漏接触区和存储器件的擦除区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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