[发明专利]利用等离子体的金属耐腐蚀处理方法无效
| 申请号： | 01139905.8 | 申请日： | 2001-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1420205A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 吳定根;曹川寿;铉旭 | 申请（专利权）人： | 乐金电子(天津)电器有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/40;C23C16/42;C23C16/54 |
| 代理公司： | 天津市才智有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 刘东华 |
| 地址： | 30040*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 利用等离子体的金属耐腐蚀处理方法是工程室内部的上部电极下部电极设置为负极，金属材料设置为正极；开卷机将卷绕的带状铝材送入工程室内部；送入的金属材料通过工程室连续被卷绕机卷绕；在上述状态下向工程室内部注入预热后的六甲基二硅氧烷或六甲基二硅氧烷和氦气的混合气体；工程室内部的温度控制在摄氏120～150度之间；同时，对金属材料和上部电极下部电极施加直流电压；金属材料和上部电极下部电极之间形成等离子体，利用该等离子体在金属材料的表面形成耐腐蚀性突出的厚度均匀的耐腐蚀性聚合膜，能长时间使金属材料保持耐腐蚀性，它特别适用于铝金属材料的耐腐蚀处理。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 金属 腐蚀 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用等离子体的金属耐腐蚀处理方法，其特征是：工程室(101)内部设置作为负极的上部电极(102)和下部电极(103)，将金属材料(104)作为正极；使工程室(101)内部抽真空；将预热后的六甲基二硅氧烷((CH3)3SiOSi(CH3)3)气体注入工程室(101)内；控制工程室(101)内部温度维持在摄氏120～150度之间；同时在上述负极和正极上施加1100V～1300V范围内变化的直流电压，形成等离子体；通过上述等离子体六甲基二硅氧烷((CH3)3SiOSi(CH3)3)被激发，在金属材料(104)的表面形成耐腐蚀性高分子聚合膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金电子(天津)电器有限公司，未经乐金电子(天津)电器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01139905.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
