[发明专利]喷墨打印头晶片的驱动晶体管结构及其制造方法无效
申请号: | 01139987.2 | 申请日: | 2001-11-22 |
公开(公告)号: | CN1421316A | 公开(公告)日: | 2003-06-04 |
发明(设计)人: | 刘建宏;刘健群;张智超;胡纪平;陈俊融 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | B41J2/14 | 分类号: | B41J2/14;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈红,潘培坤 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种喷墨打印头晶片的驱动晶体管的结构及其制造方法,将多个基极广布于一个大面积金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)活性区的源极中,使得MOSFET沟道到基极之间的等效电阻(RB)随着距离的缩小而大幅度降低,因而可避免二次击穿的发生;另外,由于该基极是设置于该活性区内,而不需要在活性区外的场氧化层区预先界定出基极区以及制作基极,因此,此种驱动晶体管结构可省下约20%的占用面积,并降低每一晶片的平均生产成本。 | ||
搜索关键词: | 喷墨 打印头 晶片 驱动 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种喷墨打印头晶片的驱动晶体管结构,该驱动晶体管的活性区内具有并联的多个金属氧化物半导体场效应晶体管,该多个金属氧化物半导体场效应晶体管用以控制该喷墨打印头晶片中与该驱动晶体管相电性连接的墨水激发元件的电流供应,其特征在于:至少一基极设置于所述活性区中,并与所述活性区内的所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电性连接,以保持同电位。
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