[发明专利]阶梯式开口的制造方法有效
申请号: | 01140032.3 | 申请日: | 2001-11-22 |
公开(公告)号: | CN1421902A | 公开(公告)日: | 2003-06-04 |
发明(设计)人: | 张庆裕 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/311;H01L21/768;H01L21/28 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种阶梯式开口的形成方法,此方法是在具有第一介电层、蚀刻终止层、第二介电层的基底上,依次形成第一罩幕层、第二罩幕层、第三罩幕层。接着,在第一罩幕层、第二罩幕层、第三罩幕层、第二介电层以及蚀刻终止层中形成开口,再去除开口侧壁的部分第二罩幕层,以使开口形成一内凹结构。其后,在去除第三罩幕层后,以第二罩幕层为罩幕,去除部分的第一罩幕层、第二介电层以及第一介电层,以于开口中露出蚀刻终止层表面以及基底表面,最后再去除第二罩幕层以及第一罩幕层,以形成阶梯式的开口。 | ||
搜索关键词: | 阶梯 开口 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阶梯式开口的制造方法,其特征是,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底上依次形成一第一介电层、一蚀刻终止层、一第二介电层;在该第二介电层上形成一第一罩幕层;在该第一罩幕层上形成一第二罩幕层;在该第二罩幕层上形成一第三罩幕层;图案化该第三罩幕层,以形成一第一开口;以该第三罩幕层为罩幕,去除部份该第二罩幕层、该第一罩幕层、该第二介电层以及该蚀刻终止层,以使该第一开口形成露出该第一介电层表面的一第二开口;去除该第二开口侧壁的部份该第二罩幕层,以于该第开口形成一内凹结构;去除该第三罩幕层;以该第二罩幕层为罩幕,去除部份该第一罩幕层、该第二介电层以及该第一介电层,以于该第二开口中露出该蚀刻终止层表面以及该基底表面;以及去除该第二罩幕层以及该第一罩幕层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造