[发明专利]金属内连线的制造方法无效
| 申请号： | 01140034.X | 申请日： | 2001-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1421916A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郑志贤 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属内连线的制造方法，此方法是在基底上形成一层介电层，并在介电层中形成一开口。然后，在基底上形成一层金属层以填满开口。接着，以电化学法在金属层的表面形成一保护层后，移除开口以外的保护层与金属层，以完成金属内连线工艺。由于保护层比金属层稳定，可防止金属层继续氧化，因此能够延长金属层沉积后至化学机械研磨前的等候时间(Queuetime，Q－time)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 连线 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属内连线的制造方法，其特征为：该方法包括：提供一基底，该基底上具有一介电层；在该介电层中形成一开口；在该基底上形成一金属层以填满该开口；在该金属层的表面形成一保护层；以及移除该开口以外的该保护层与该金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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