[发明专利]一种场发射阴极及其制造方法和应用无效
| 申请号： | 01140097.8 | 申请日： | 2001-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1155980C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 薛增泉;张葵;张耿民;余宁;侯士敏;申志勇;刘惟敏;赵兴钰;陈清;吴锦雷;张兆祥;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极，特征在于，其包括：金属薄膜电极；和形成生长在所述金属薄膜电极上的金属纳米线阵列，所述金属纳米线阵列的金属与所述金属薄膜电极的金属为相同金属材料。
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