[发明专利]混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法无效
| 申请号： | 01140499.X | 申请日： | 2001-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1426143A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘国利;王圩;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法，是在选择生长铟镓砷磷多量子阱时，采用三乙基镓和三甲基铟生长限制层和垒，采用三甲基镓和三甲基铟生长阱；采用这种方法生长的量子阱材料，在选择生长区域，阱区有大的应变，而在非选择生长区域，阱区应变小；垒和限制层在两个生长区域的应变变化很小，这使得选择生长区域的量子阱有高的发光效率，保证了高性能电吸收调制DFB激光器的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 有机 选择 区域 生长 铟镓砷磷 多量 方法 | ||
【主权项】：
1、一种混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法，其特征在于：在覆盖有介质膜图形的衬底上采用三族有机源三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟和五族源砷烷、磷烷生长铟镓砷磷多量子阱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01140499.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
