[发明专利]半导体器件及用于制造半导体器件的测试方法有效
申请号: | 01141640.8 | 申请日: | 2001-09-29 |
公开(公告)号: | CN1165980C | 公开(公告)日: | 2004-09-08 |
发明(设计)人: | 石井淳也 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/66 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;方挺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种用于其键合焊盘含有第一互连层以及第二互连层的半导体器件的测试方法,该键合焊盘包括:多个连接部分,它们被设置于分别形成在层间绝缘膜内的多个狭缝状沟槽中,并且将第一互连层和第二互连层连接起来,连接部分被按照一个方向以预定间距放置,该方法包括:使一用于测试半导体器件的测试探针按照和连接部分的纵向相平行的方向与键合焊盘相接触。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 用于 制造 测试 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其键合焊盘含有第一互连层以及第二互连层,所述键合焊盘包括:多个相互平行排列且形成在设置于所述第一与第二互连层之间的层间绝缘膜内的狭缝状沟槽;设在所述多个狭缝状沟槽之一中并与所述第一互连层和所述第二互连层相连的第一连接部分;设在其它狭缝状沟槽内并分别与所述第一互连层和第二互连层相连的第二连接部分和第三连接部分,所述第二连接部分和第三连接部分以一预定间距将第一连接部分夹在中间;形成在层间绝缘膜内的第一桥接部分和第二桥接部分,它们将所述第一连接部分和所述第二连接部分连接起来;以及形成在所述层间绝缘膜内的第三桥接部分,它将所述第一连接部分和所述第三连接部分连接起来,所述第三桥接部分被置于所述第一桥接部分与所述第二桥接部分之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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