[发明专利]沟道金属氧化物半导体器件和端子结构有效
| 申请号： | 01141678.5 | 申请日： | 2001-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1348220A | 公开（公告）日： | 2002-05-08 |
| 发明（设计）人： | 徐志伟;刘崇民;高明哲;蔡明仁;邝普如 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,李辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种功率沟道MOS器件的端子结构。依据所准备的是何种半导体衬底,MOS器件可为肖特基二极管、IGBT或DMOS。该端子结构包括半导体衬底,其中形成有沟道;在沟道的侧壁形成作为间隔物的MOS栅;在沟道中形成的端子结构氧化层以覆盖间隔物的一部分并覆盖沟道的底部;第一电极和第二电极,分别形成于半导体衬底的下表面和上表面。沟道形成于从有源区的边界至半导体衬底的末端的区域。沟道MOS器件形成于有源区中。另外,对IGBT和DMOS来说,由氧化层将第二电极与MOS栅隔开;但对肖特基二极管来说,第二电极直接与MOS栅相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 金属 氧化物 半导体器件 端子 结构 | ||
【主权项】：
1.一种沟道MOS器件的端子结构，所述端子结构包括：半导体衬底，其中形成有沟道，所述沟道从有源区的边界至所述半导体衬底的末端，所述沟道MOS形成于所述半导体衬底的所述有源区域；MOS栅，作为间隔物形成在所述沟道的侧壁上；端子结构氧化层，形成在所述沟道内，覆盖所述间隔物的一部分并覆盖所述沟道的底部；和第一导电层，作为第一电极，形成在所述半导体衬底的底面；第二导电层，作为第二电极，形成在所述半导体衬底的上表面上，其中所述半导体衬底的所述上表面是从所述有源区经过所述间隔物至所述端子结构氧化层的一部分的区域。
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