[发明专利]一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法无效
| 申请号： | 01141978.4 | 申请日： | 2001-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1344810A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | 孙祖庆;张来庆;杨王玥;张跃;傅晓伟 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;C22C29/18 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 杨玲莉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法,主要通过控制原位复合工艺参数,消除Mo、Si和C三元素粉末之间的低温固一固反应,而利用它们之间的固－液反应原位合成MoSi2－SiC复合粉末,并用二次热压致密该MoSi2－SiC复合粉末,来制备界面洁净、无SiO2玻璃相和Mo5Si3,Mo≤5Si3C≤1等其他过渡相、细小弥散SiC颗粒增强MoSi2两相复合材料。使该复合材料在不降低MoSi2抗高温氧化性的前提下,最大限度地改善MoSi2－SiC复合材料的低温和高温力学性能,并且工艺易于控制、设备简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 颗粒 增强 二硅化钼基 复合材料 原位 复合 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法，MoSi2-SiC复合材料的化学组成按体积百分比为MoSi2-0％SiC～MoSi2-100％SiC，元素粉末的含量按组成该复合材料的化学计量比计算，其特征在于原位反应合成的工艺是：温度1410～1470℃，升温速率≥120℃/min，保温时间0.5～1h。将原位反应合成后的材料破碎成-40～-80目粉末后，进行热压成型，温度1700～1750℃，保温时间1～2h，施加压力30～40MPa，以10～20℃/min的速度降温至400～500℃，最后自然冷却至室温。在热压后的冷却过程中1200～1300℃后逐渐减压。
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