[发明专利]制作双扩散漏极的方法有效
| 申请号： | 01142963.1 | 申请日： | 2001-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1423313A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘慕义;范左鸿;叶彦宏;詹光阳;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露了一种制作双扩散漏极的方法。本发明利用单一种类掺质而非传统的两种掺质来形成双扩散漏极。首先进行一次轻掺杂离子布植过程。接着执行一第一热过程以驱入(DriveIn)掺质。再者执行一重掺杂离子布植过程。最后进行一第二热过程以形成双扩散漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作双扩散漏极的方法，该方法至少包含下列步骤：提供一底材，该底材具有一栅极于其上；进行一第一离子布植过程于该底材上；进行一第一热过程；进行一第二离子布植过程，其中该第一离子布植过程与该第二离子布植过程的掺质相同，且该第二离子布植过程的掺质剂量高于该第一离子布植过程的掺质剂量；以及进行一第二热过程以形成一双扩散漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
