[发明专利]SNNNS类非挥发性存储胞的数据写入与清除方法

摘要

一种SNNNS类非挥发性存储胞的数据写入与清除方法。本发明是通过从汲极端射出通道热电子至一中间氮化硅层以执行数据写入,而通过从汲极端射出通道热空穴以执行数据清除。在低操作电压下,对于数据的写入与清除,本发明的SNNNS类非挥发性存储胞可提供高效率的通道热载子射出。因此,本发明方法可提供极佳的存储胞操作性能,例如较短的数据写入/清除时间及较低操作电压。

主权项

1.一种SNNNS类非挥发性存储胞的数据写入方法，所述非挥发性存储胞包括一P型半导体基底、具有N型导电性的一第一扩散区、具有N型导电性的一第二扩散区，所述第一扩散区与所述第二扩散区互相隔开一段距离并且皆位于所述半导体基底表面下方、位于所述半导体基底内的所述第一扩散区与所述第二扩散区之间的一通道区、一多晶硅栅极及位于所述多晶硅栅极与所述通道区之间的包括一顶部氮化硅层、一中间氮化硅层及一底部氮化硅层的一栅极多层介电层，其特征在于，所述数据写入方法包括：施予一第一写入操作电压于所述多晶硅栅极；施予低于所述第一写入操作电压的一第二写入操作电压于所述第一扩散区；及将所述第二扩散区与所述半导体基底接地；借此使通道热电子射入所述中间氮化硅层以写入一预定数据至所述非挥发性存储胞。