[发明专利]防止嵌入式非挥发性存储器漏电流的方法有效
| 申请号： | 01142987.9 | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1423323A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 郭东政;黄守伟;刘建宏;潘锡树 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种防止嵌入式非挥发性存储器漏电流的方法。此嵌入式非挥发性存储器,在底材上包含一存储器阵列区以及一逻辑元件区,且一氧化层/氮化层/氧化层(ONO层)在存储器阵列区,一闸氧化层在逻辑元件区。本发明的方法是利用分开两次微影制程条件,使得在存储器阵列区以及逻辑元件区的晶体管可以分别形成。在存储器阵列区,其闸极之间具有相等的间距宽度以及较宽的间隙壁宽度；而在逻辑元件区,在闸极之间的间距并不相等,其中,其宽度具有最佳的间隙壁宽度。根据本发明,在存储器阵列区以及逻辑元件区通过分离式间隙壁宽度可以避免在自行对准硅化物步骤时在位元线之间发生漏电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 嵌入式 挥发性 存储器 漏电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止嵌入式非挥发性存储器漏电流的方法，其特征在于至少包括：提供一具有一存储器阵列区以及一逻辑元件区的底材；形成一氧化层/氮化层/氧化层(ONO)在所述存储器阵列区；沉积一介电层在所述逻辑元件区；形成一多晶硅层在所述存储器阵列区以及所述逻辑元件区；蚀刻所述多晶硅层以形成数个字符线在所述存储器阵列区；在所述数个字符线之间形成一间隙壁以填满在所述数个字符线之间间距；以及在所述逻辑元件区上形成金属氧化半导体晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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