[发明专利]具有存储器阵列的高密度集成电路有效
| 申请号： | 01142988.7 | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1423278A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 林金溪;黄盟珠;陈俊利;倪福隆 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/00 | 分类号： | G11C5/00;G11C5/02;G11C16/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种具有存储器阵列、共用式的选择晶体管(SharedSelectTransistor)与分散式的字符线解码器的驱动器(DistributedDriversofXDEC)的高密度集成电路。共用式的选择晶体管用于读取两相邻存储器单元区,以使导因于传统的选择区的比例(overhead)可以减少。分散式的字符线解码器的驱动器分布至存储器阵列的两侧以驱动存储器单元区,所以传统的浪费面积的转换区也可以减少。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储器 阵列 高密度 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种具有存储器阵列的集成电路，其特征在于至少包含：多个储存区块，每一该储存区块至少包含多个存储单元，该存储单元排列成多行与多列；多条字符线，每一该字符线连接每一列的该存储单元；多条区域位元线，每一该区域位元线连接分属两相邻该储存区块且属于同一行的多个该存储单元；多个耦合选择晶体管，该耦合选择晶体管位于两相邻的该储存区块之间，其中每一该选择晶体管是用于通过该区域位元线选择分属两相邻该储存区块且属于同一行的多个该存储单元；多条选择线，该选择线连接该耦合选择晶体管中的该选择晶体管；及多个全区位元线，该全区位元线连接该耦合选择晶体管。
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