[发明专利]转移图形的方法有效
| 申请号： | 01142997.6 | 申请日： | 2001-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1423170A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种转移图形的方法,是通过两阶段曝光将图形由光罩转移至晶片表面的光阻层上。第一阶段为对欲形成图形区域的光阻层,以一第一光源能量及第一光罩进行第一阶段曝光,以改变光阻层的材料性质。第一光罩包含第一图形。第二阶段使用一含有第二图形的第二光罩,并使用一第二光源能量对欲形成图形区域上光阻层进行曝光。第二光罩包含不规则分布或规则分布的第二图形。最后进行显影后,若使用的光阻层为正光阻层,则经过两次曝光的光阻层将被移除,若使用的光阻层为负光阻层,则经过两次曝光的光阻层将保留而形成所需图形。第一光源能量与第二光源能量均小于光阻层的显影临界值,且第一光源能量加上第二光源能量必须大于或等于光阻层的显影临界值。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种转移图形的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一晶片，该晶片包含一光阻层；使用一第一光源能量及一第一光罩照射部分的该光阻层，其中所述的第一光罩包含一第一透光区且该第一光源能量小于该光阻层的一显影临界值；以及使用一第二光源能量及一第二光罩照射部分的该光阻层，其中所述的第二光罩包含一第二透光区，部分的该第二透光区与部分的该第一透光区相互重叠，该第二光源能量小于该光阻层的该显影临界值，且该第一光源能量加上该第二光源能量的数值达到该光阻层的该显影临界值以上。
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