[发明专利]一种氘化磷酸二氘铵(DADP)电光晶体的生长方法无效
| 申请号： | 01143234.9 | 申请日： | 2001-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1424439A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 苏根博;庄欣欣;贺友平;李征东;马锦波;李国辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B7/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 3500*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种氘化磷酸二氘铵(DADP)电光晶体的生长方法，属于晶体生长领域。它采用NH4H2PO4和重水为原料，用溶液降温法进行晶体生长，其生长条件为：溶液的pH＝4～5，生长温度为60℃～室温，籽晶使用Z切方向，生长速度控制在1～3mm/天(z方向)，控温精度为±0.01℃，晶体正反向转速为50～60转/分。本发明所采用的DADP晶体生长方法具有设备简单，操作方便，晶体生长速度快，获得高光学品质晶体的成功率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氘化 磷酸 二氘铵 dadp 电光 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氘化磷酸二氘铵(DADP)电光晶体的生长方法，包括结晶原料的合成和晶体的生长方法两部分，其特征在于：(1)DADP结晶原料的合成：使用优级纯的含量＞99.5％的NH4H2PO4试剂和纯度＞99.5％的重水为原料，在重水溶液中采用三次重结晶氘化的方法得到含氘量大于95％的DADP晶体原料；(2)DADP晶体的生长方法采用溶液降温法，其生长条件为：生长溶液的酸碱度为纯态PH＝4～5；DADP晶体的生长温度为60℃～室温；籽晶使用Z切的ADP晶体固定于有机玻璃转动圆盘，使之向下半锥生长；水浴恒温槽的控温精度为±0.01℃，晶体正反向转速为50～60转/分；晶体平均生长速度控制在1～3mm/天(z方向)。
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