[发明专利]一种金属双镶嵌的制造方法

摘要

一种金属双镶嵌的制造方法。形成第一介电层于已形成有若干元件的基底上，然后使用含氮电浆对第一介电层进行表面处理。接着依序形成氮化硅层与第二介电层于第一介电层上，图案化第二介电层，以形成第一开口于第二介电层中以暴露出部分的氮化硅层。然后依序图案化暴露出的氮化硅层与其下的第一介电层，以形成第二开口于氮化硅层与第一介电层中，第二开口的宽度小于第一开口的宽度。最后沉积金属于第一开口与第二开口中，以形成金属双镶嵌结构。

主权项

1、一种金属双镶嵌的制造方法，该方法至少包括：形成第一介电层于一基底上，该基底上已形成有若干元件；使用含氮电浆对该第一介电层进行一表面处理；形成氮化硅层于该第一介电层上；形成第二介电层于该氮化硅层上；图案化该第二介电层，以形成第一开口于该第二介电层中以暴露出部分的该氮化硅层；依序图案化暴露出的该氮化硅层与其下的该第一介电层，以形成第二开口于该氮化硅层与该第一介电层中，该第二开口的宽度小于该第一开口的宽度；以及沉积金属于该第一开口与该第二开口中，以形成一金属双镶嵌结构。