[发明专利]避免电荷耦合器件饱和的时序控制方法无效
| 申请号： | 01143460.0 | 申请日： | 2001-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1429009A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 曾尚文;陈世煌 | 申请（专利权）人： | 力捷电脑股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N1/04 | 分类号： | H04N1/04 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种避免电荷耦合器件饱和的时序控制方法，此电荷耦合器件具有一移位缓存器、一末阶缓存器与一像素处理电路，避免电荷耦合器件饱和的时序控制方法是通过控制末阶缓存器的信号传送时序与像素处理电路的重置时序的工作周期，可减少由移位缓存器送至末阶缓存器的电荷电压，避免电荷耦合器件的饱和情况，并通过适当的时序控制以得到较佳的影像品质。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 电荷耦合器件 饱和 时序 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种避免电荷耦合器件饱和的时序控制方法，该电荷耦合器件具有一移位缓存器、一末阶缓存器与一像素处理电路，其特征在于：该避免电荷耦合器件饱和的时序控制方法的步骤包括：在一信号传送时序中的一第一累积周期中，由该末阶缓存器接收该移位缓存器所送出的一电荷电压，以成为一累积电压；在该信号传送时序中的一第一移出周期中，由该末阶缓存器送出该累积电压至该像素处理电路；在一重置时序中的一非重置周期中，取得送至该像素处理电路的该累积电压所对应的一光强度；在该信号传送时序中的一第二累积周期中，由该末阶缓存器接收该移位缓存器所送出的该电荷电压，以成为一丢弃电压；在该信号传送时序中的一第二移出周期中，由该末阶缓存器送出该丢弃电压至该像素处理电路；在该重置时序中的一重置周期中，由该像素处理器产生一重置电压，将该末阶缓存器送至该像素处理电路的该丢弃电压清除掉。
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