[发明专利]半导体晶圆的热氧化制作工艺有效
| 申请号： | 01143461.9 | 申请日： | 2001-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1428824A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 何达能;俞文光;王明信;孙童基 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体晶圆的热氧化制作工艺，此制作工艺首先在低于主要热氧化制作工艺温度的一温度之下，将晶圆加载炉管中，并且，通入足以驱离炉管中水气以及氧气的大流量的氮气或氩气。接着在晶圆完全加载炉管后，逐渐升高炉管的操作温度至主要热氧化制作工艺温度，并持续通入氮气或氩气。然后，在主要热氧化制作工艺温度下，在炉管中通入氧气，并进行热氧化制作工艺。其后，逐渐降低炉管的操作温度，并由炉管取出晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 氧化 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆的热氧化制作工艺，其特征在于：该制作工艺包括下列步骤：在摄氏400度至摄氏600度的温度下，将该晶圆加载一炉管中，并通入流量为30至45升/分钟左右的一第一气体；在该晶圆完全加载该炉管后，逐渐提高该炉管的操作温度至一主要热氧化制作工艺温度，并持续通入该第一气体；在该主要热氧化制作工艺温度下，进行一热氧化制作工艺，并于该热氧化制作工艺期间通入一第二气体；逐渐降低该炉管的操作温度；由该炉管取出该晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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