[发明专利]光传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 01143524.0 | 申请日： | 2001-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1357923A | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 近江俊彦 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L29/78;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种高灵敏光传感器。在这种集成了MOS晶体管和半导体光接收元件的光传感器中,光接收元件包括一个PN结并且通过光照射产生的电荷积聚在PN结上,光接收元件的PN结与MOS晶体管的阱区隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光传感器，它包括：在半导体衬底上集成的MOS晶体管和半导体光接收元件，所述光接收元件包括一个PN结并且通过光照射产生的电荷积聚在所述PN结上，其中所述光接收元件的PN结与通过杂质注入形成的MOS晶体管的阱区隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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