[发明专利]形成无机固体电解质薄膜的方法无效
| 申请号： | 01143587.9 | 申请日： | 2001-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1359165A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 久贝裕一;太田进启 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种生产具有相对高的离子电导率的无机固体电解质薄膜的方法。在该方法中,通过汽相沉积法,在加热的基底元件上,形成由无机固体电解质制成的薄膜。通过热处理获得的该薄膜具有高于在未经加热的基底元件上形成的薄膜的离子电导率。该离子电导率还可通过在室温下或在低于40℃的温度下的基底元件上形成由无机固体电解质制成的薄膜,而后加热该无机固体电解质薄膜的步骤来提高。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 无机 固体 电解质 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在基底元件上形成无机固体电解质薄膜的方法，包括通过汽相沉积法在加热的基底元件上形成无机固体电解质薄膜，以使该薄膜具有高于在未加热的基底元件上形成的薄膜的离子电导率。
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