[发明专利]形成嵌合式非挥发性存储器的方法

摘要

一种形成嵌合式非挥发性存储器的方法。首先，在底材上形成氧化层/氮化层/氧化层，通过位元线微影在氧化层/氮化层/氧化层上形成光阻并执行一离子植入步骤，以在底材内形成位元线结构。接着，沉积第一多晶硅层，并通过字符线微影在第一多晶硅层上形成光阻，以形成字符线结构。这样使在存储器阵列区中贮存电子的氧化层/氮化层/氧化层只接触到一次光阻，在随后的互补式金氧半导体制作中所形成的光阻并不会与所述氧化层/氮化层/氧化层接触。因此，在存储器阵列区以及逻辑元件区的晶体管可分别形成，同时也可形成一有效的氧化层厚度，进而将作为间隙壁的氧化层完全填入多晶硅闸极间的间距内，以在自行对准金属硅化物的过程中避免漏电流路径。

主权项

1.一种形成嵌合式非挥发性存储器的方法，其特征在于，至少包含：提供具有一存储器阵列区及一逻辑元件区的一底材；依序沉积一第一介电层在该底材上、一电荷储存层在该第一介电层上及一第二介电层位于该电荷储存层上；通过一位元线微影步骤执行一离子植入步骤使得一位元线结构在该底材内形成；沉积一多晶硅层在该第二介电层上；蚀刻该多晶硅层，使得在存储器阵列区上形成数个字符线，并保护在该存储器阵列区的该第一介电层、该电荷贮存层及该第二介电层，以降低该第一介电层、该电荷贮存层及该第二介电层与一光阻接触的次数；在该数个字符线之间形成一间隙壁以填满该数个字符线之间的间距；移除在该逻辑元件区上方的该第一介电层、该电荷储存层以及该第二介电层；形成一第三介电层位于该数个字符线的上方；及形成一金氧半导体晶体管在该逻辑元件区上方。