[发明专利]在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法及形成的器件有效
| 申请号： | 01143895.9 | 申请日： | 2001-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1427456A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·J·多尔顿;斯蒂芬·E·格雷科;杰弗里·C·赫德里克;萨泰亚纳雷亚纳·V·尼塔;桑佩思·珀鲁肖瑟曼;肯尼思·P·罗德贝尔;罗伯特·罗森堡 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在电子结构中形成多孔介电材料层的方法以及所形成的结构。在此方法中，半导体器件中的多孔介电层可以通过以下步骤形成：首先形成无孔介电层，然后局部固化，通过反应离子刻蚀构图，最后在比局部固化温度更高的温度下固化无孔介电层，用以将无孔介电材料转变成多孔介电材料，从而获得具有明显改善的介电常数，即小于2.6的介电材料。无孔介电材料可以通过以下方法形成：将第二相聚合材料埋入诸如甲基倍半硅氧烷、氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯或芳香族热固性聚合物的热稳定介电材料内，使得在更高的固化温度，第二相聚合材料充分挥发而留下气孔，形成充满气孔的介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 多孔 材料 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种在电子结构中形成多孔介电材料层的方法，包括步骤：提供预先加工好的电子基板；在所述预先加工好的电子基板上沉积无孔介电材料层；在不高于250℃的第一温度下固化所述电子基板；定义并构图所述无孔介电材料层；以及在高于所述第一温度的第二温度下固化所述电子基板，将所述无孔介电材料转变成多孔介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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