[发明专利]图案化光阻的形成方法有效
| 申请号： | 01144451.7 | 申请日： | 2001-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1427452A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民,王刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种图案化光阻的形成方法。首先，在基底上形成第一光阻，此第一光阻适用于基底中形成沟渠。接着在第一光阻上形成第二光阻，第二光阻适用于基底中形成线型图案。然后对第一光阻与第二光阻进行曝光显影步骤以形成图案化光阻。本发明因为第一光阻位在下方，而第二光阻位于其上，且第一光阻的光酸扩散速率较大与对比能力较小。所以可以避免曝光后产生足部，并且能保持完整的图案外型，自然能使光刻的工艺裕度增加许多。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 化光阻 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化光阻的形成方法，该方法至少包括：形成一第一光阻于一基底上，该第一光阻适用于该基底中形成沟渠；形成一第二光阻于该第一光阻上，该第二光阻适用于该基底中形成线型图案，该第二光阻的厚度大于该第一光阻的厚度；以及对该第一光阻与该第二光阻进行一曝光显影步骤以形成一图案化光阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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