[发明专利]中低温烧结半导体陶瓷及其液相制备方法无效
| 申请号： | 01144623.4 | 申请日： | 1996-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1120138C | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李龙土;王德君;桂治轮 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/47;C04B35/472;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 北京清亦华专利事务所 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种中低温烧结半导体陶瓷，该半导体陶瓷的一般式为：(Sr1-xPbx)TiyO3，其中x＝0.1～0.9，y＝0.8～1.2，配方主成分中含有Sr，Pb，Ti等金属元素，其总含量在85％～99.9％之间，半导化元素含量在0.01～3mol％之间，添加剂含量为0.1～12mol％之间。其液相制备工艺包括配料，共沉淀、洗涤、分散、烘干、煅烧和烧结等。由于采用新型配料、新的合成手段和化学处理方法，材料的烧结温度较BaTiO3体系大大降低。制备的陶瓷具有典型的PTC特性，并且样品室温电阻率低，升阻比高，耐压强度大。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 半导体 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种中低温烧结半导体陶瓷，其特征在于该陶瓷的一般式为：(Sr1-xPbx)TiyO3其中x＝0.1～0.9；y＝0.8～1.2还含有半导化元素：0.012-2mol％；以及添加剂：占初始原料和半导化元素总量的0.2-3％，其中的半导化元素为Y2O3、Y(NO3)3、La2O3、La(NO3)3、Nb2O5、Sb2O3、Dy2O3、CeO2、Ce(NO3)3、Nd2O3或Nd(NO3)3中的任何一种，其中的添加剂为SiO2、Si(OC2H5)4、AST、Mn(NO3)2、Fe(NO3)2、Li2CO3中的任何一种。
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