[实用新型]一种新型发光二极管构造无效
| 申请号： | 01200780.3 | 申请日： | 2001-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN2468158Y | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 林明德 | 申请（专利权）人： | 光鼎电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型发光二极管构造,是将盛放晶片的支架C2的厚度加厚,使碗深达到0.6mm以上,可提高发光效率,于支架C2上设置支架散热块C5,并于底部设置散热胶C6,引线由支架C2两侧向下延伸,使支架C2及支架散热块C5底部接合于PCB板上,从而可大大提高散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 发光二极管 构造 | ||
【主权项】：
1.一种新型发光二极管构造，其包括有晶片、盛放晶片的支架与引线，其特征在于：在支架C2的底部附近设置支架散热块C5，并将其支架C2的厚度加厚以加深盛放晶片C1的碗深深度至0.6mm以上。
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