[实用新型]有自校准功能的对电荷超敏感的库仑计无效

专利信息
申请号: 01201858.9 申请日: 2001-01-18
公开(公告)号: CN2462400Y 公开(公告)日: 2001-11-28
发明(设计)人: 王太宏 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: G01R29/24 分类号: G01R29/24
代理公司: 上海华东专利事务所 代理人: 李柏
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型属于微电子器件和纳米器件,特别是涉及一种有自校准功能的对电荷超敏感的库仑计。在衬底上的导电材料层中分别有两个源极和漏极;在导电材料层的源极和漏极处各分别有两个槽,分别在两个槽之间的台面形成连接源极和漏极的一维波导,其宽度都是3—800纳米;在一维波导上沉积有线条栅,在一维波导的量子点5和一维波导的量子点6处,有连接量子点5和6的悬浮栅23。可用于探测万分之一的电子电荷。
搜索关键词: 校准 功能 电荷 敏感 库仑计
【主权项】:
1.一种有自校准功能的对电荷超敏感的库仑计,其特征在于:在衬底(25)上的导电材料层(24)中有源极(1)、源极(2)和漏极(3)、漏极(4);在导电材料层(24)的源极(1)和漏极(3)处有槽(13)和槽(15),槽(13)和槽(15)之间的台面形成连接源极(1)和漏极(3)的一维波导(17);在一维波导(17)上沉积有隧穿势垒线条栅(19)和(21),隧穿势垒线条栅(19)和(21)之间的一维波导(17)为量子点(5);在一维波导(17)的量子点(5)处有线条栅(7在导电材料层(24)的源极(2)和漏极(4)处有槽(14)和槽(16),槽(14)和槽(16)之间的台面形成连接源极(2)和漏极(4)的一维波导(18);在一维波导(18)上沉积有隧穿势垒线条栅(20)和(22),隧穿势垒线条栅(20)和(22)之间的一维波导(18)为量子点(6);在一维波导(18)的量子点(6)处有线条栅(8);在一维波导(17)的量子点(5)和一维波导(18)的量子点(6)处,有连接量子点(5)和(6)的悬浮栅(23)。
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