[实用新型]纳米硅异质结二极管无效
| 申请号： | 01265113.3 | 申请日： | 2001-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN2484645Y | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘明;何宇亮;刘宏;刘晓晗;成鑫华 | 申请（专利权）人： | 上海维安新材料研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海东亚专利代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型纳米硅异质结二极管涉及一种二极管,包括单晶硅,特点是以低电阻单晶硅为基片,在其上方沉积一层掺杂纳米硅薄膜,构成纳米硅/单晶硅异质结构。优越性在于纳米硅异质结二极管具有优越的伏－安特性,击穿电压不小于60伏,反向漏电流仅为纳安量级;具有极好的温度稳定性,可在不大于250℃温度范围内使用;反向开关时间不大于1.5纳秒纳米硅/单晶硅异质结内的电输运是以隧穿机制为主,且服从陡变结电容公式。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 硅异质结 二极管 | ||
【主权项】：
1，一种纳米硅异质结二极管，包括单晶硅，其特征在于：以低电阻率单晶硅为基片，在其上方沉积一层掺杂纳米硅薄膜，构成为纳米硅/单晶硅异质结构。
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