[实用新型]可提高发光亮度的发光二极管无效

专利信息
申请号: 01280099.6 申请日: 2001-12-30
公开(公告)号: CN2520569Y 公开(公告)日: 2002-11-13
发明(设计)人: 许荣贵;余学志;徐嘉莨;陆宏远;朱颜虎;张垂权;王冠儒;蔡长达;林三宝;黄勇强;林明德 申请(专利权)人: 光磊科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱黎光,张占榜
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种可提高发光亮度的发光二极管,特征是至少包括一发光活性层的LED磊晶层,其底侧凿设多个空隔区;至少一导电接触层,设于该LED磊晶层未被凿设为空隔区的底侧表面;空隔区内设有透光物质层;一黏合层设于该透光物质层与一永久基板之间;一下部电极设于该永久基板的底侧,而一对向电极则设于该LED磊晶层的顶侧。通过移除在成长LED磊晶层时于底侧所自然形成具有吸收光线亮度弊端的高载子掺杂层的部分体积,成为一空隔区,于空隔区内填塞透光物质层,以利光线路径的投射,并且于未被移除的高载子掺杂层其它部分体积上设有供导电及电流流向路径规划的导电接触层,藉此以达到工作电流于LED磊晶层内平均分布及发光,使大幅提高LED元件内的发光亮度。
搜索关键词: 提高 发光 亮度 发光二极管
【主权项】:
1、一种可提高发光亮度的发光二极管,其特征是包括有:一至少包括有一发光活性层的LED磊晶层,于其底侧凿设有多个空隔区;至少一导电接触层,设于该LED磊晶层未被凿设为空隔区的底侧表面;空隔区内设有一透光物质层;一黏合层设于该透光物质层与一永久基板之间;及一下部电极设于该永久基板的底侧,而一对向电极则设于该LED磊晶层的顶侧部分位置。
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