[发明专利]发光元件阵列的光量设定方法有效
| 申请号： | 01800023.1 | 申请日： | 2001-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1164430C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 大野诚治;楠田幸久;大塚俊介;黑田靖尚;有马尊久;齐藤英昭 | 申请（专利权）人： | 日本板硝子株式会社 |
| 主分类号： | B41J2/45 | 分类号： | B41J2/45;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在排列了具有在低电流区发光效率低的I-L特性的发光闸流晶体管的阵列中，不降低发光效率，获得规定的曝光能量的光量设定方法。为了获得规定的曝光能量，在将相当于电流密度为50MA/m2的电流值的I-L特性曲线的切线与电流轴的切点处的电流值所相当的电流密度定义为发光阈电流密度Dth的情况下，使流过发光闸流晶体管的电流密度D在3×Dth＜D＜100MA/m2的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 阵列 设定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件阵列的光量设定方法，该方法是在排列了具有在低电流区发光效率低的电流-光输出功率特性的发光闸流晶体管的发光元件阵列中，为了获得规定的曝光能量，设定上述发光闸流晶体管的光量的方法，其特征在于：在将相当于电流密度50MA/m2的电流值的电流-光输出功率特性曲线的切线与表示电流-光输出功率特性的曲线的电流轴的交点处的电流值所相当的电流密度定义为发光阈电流密度Dth的情况下，流过发光闸流晶体管的电流密度D在3×Dth＜D＜100MA/m2 的范围内。
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