[发明专利]用氧化物还原腐蚀清除残留物的方法无效
| 申请号： | 01800078.9 | 申请日： | 2001-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1358328A | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | E·K·耶;C·T·加布里尔;T·郑;L·莱尔德 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用来清除等离子体腐蚀引入的残留物的方法。在一个实施方案中,在部分光抗蚀剂已经被用来形成多晶硅栅之后,本发明提供了一种新颖的有利的等离子体灰化环境。具体地说,在此实施方案中,本发明将CF4引入到等离子体灰化环境中。接着,本实施方案将H2O汽引入到等离子体灰化环境中。在此实施方案中,CF4对H2O的体积比为0.1∶1-10∶1。接着,本实施方案利用这一等离子体灰化环境来基本上清除多晶硅腐蚀引入的残留物而不需要腐蚀性化学剥离。在这样做的过程中,栅氧化物的腐蚀被明显地抑制,致使足够量的栅氧化物层保留在下方的半导体衬底上。此外,在本发明中,在清除等离子体腐蚀引入的残留物之后,栅氧化物层是清洁的,且足够的栅氧化物保留下来,致使能够精确而可靠地测量保留的栅氧化物层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 还原 腐蚀 清除 残留物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，它包含下列步骤：a)将CF4引入到等离子体灰化环境中；以及b)将H2O汽引入到所述等离子体灰化环境中，使所述CF4对所述H2O汽的体积比为0.1∶1-10∶1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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