[发明专利]永久磁铁薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 01800274.9 | 申请日： | 2001-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1363101A | 公开（公告）日： | 2002-08-07 |
| 发明（设计）人： | 上原稔 | 申请（专利权）人： | 住友特殊金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F10/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基板上形成高熔点金属层2、4、6、8和10以及稀土合金磁性层3、5、7、9、11和12交互层叠的4层以上的层叠结构。高熔点金属层2、4、6、8、10由选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的至少一种材料形成,具有5nm以上、50nm以下的厚度。稀土合金磁性层3、5、7、9、11和12的主构成相是正方晶R2Fe14B(R是Nd和/或Pr),具有50nm以上、500nm以下的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 永久磁铁 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种永久磁铁薄膜，它是具备高熔点金属层和稀土合金磁性层交互层叠的4层以上的层叠结构的永久磁铁薄膜，所述高熔点金属层由选自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W中的至少一种材料形成，具有5nm以上、50nm以下的厚度，所述稀土合金磁性层的主构成相是正方晶R2Fe14B(R是Nd和/或Pr)，具有50nm以上、500nm以下的厚度。
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