[发明专利]具有偏置磁层结构的磁场元件无效
| 申请号： | 01800468.7 | 申请日： | 2001-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1364300A | 公开（公告）日： | 2002-08-14 |
| 发明（设计）人： | M·F·吉利斯;K·－M·H·伦森;A·E·T·奎珀 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01L43/08;G11B5/39;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁场元件,该元件被提供有第一磁层结构(7)、具有基本上为固定磁化(M11)方向的第二磁层结构(11)、以及将第一磁层结构和第二磁层结构彼此分开的隔离层结构(9)的层叠。该磁场元件还被提供有将纵向偏置场施加给第一磁层结构的偏置装置,该偏置装置包括位于第一磁层结构对面的薄偏置磁层结构(3)。偏置磁层结构提供垂直于第二磁层结构磁化方向的磁耦合场分量(M3)并且被非磁层结构(5)从第一磁层结构分隔开。第一磁层结构被铁磁耦合到偏置磁层结构。磁场元件适合于很高密度的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏置 结构 磁场 元件 | ||
【主权项】：
1.一种磁场元件，该元件被提供有第一磁层结构、具有基本上为固定磁化方向的第二磁层结构、以及将第一磁层结构和第二磁层结构相互分开的隔离层结构的层叠，该磁场元件还被提供有将纵向偏置场施加给第一磁层结构的偏置装置，其中偏置装置包括位于第一磁层结构对面的偏置磁层结构，该偏置磁层结构提供垂直于第二磁层结构磁化方向的磁耦合场分量并且被非磁层结构从第一磁层结构中分开，由此第一磁层结构主要被铁磁耦合到偏置磁层结构。
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