[发明专利]防水性多孔二氧化硅、其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 01801051.2 申请日: 2001-04-26
公开(公告)号: CN1366509A 公开(公告)日: 2002-08-28
发明(设计)人: 高村一夫;冈部晃博;漥田武司;蔵野義人;村上雅美 申请(专利权)人: 三井化学株式会社
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;C09D183/02;C09D183/08;H01L21/316;H01L21/312
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 沙永生
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 合成的孔隙均匀的防水性多孔二氧化硅,该二氧化硅包括硅石骨架,其中氟原子通过共价键固定,并且碱金属含量不超过10ppb。用该防水性多孔二氧化硅,防水性多孔二氧化硅膜具有均匀的孔隙,适用于光功能性材料或电子功能性材料,还提供了该物质的制备方法,和它的用途。
搜索关键词: 水性 多孔 二氧化硅 制备 方法 用途
【主权项】:
1.防水性多孔二氧化硅,它的孔隙均匀,它含有通过共价键固定在硅石骨架中的氟原子,并且碱金属含量不超过10ppb。
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