[发明专利]硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法无效
| 申请号： | 01801087.3 | 申请日： | 2001-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1161823C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 中田安一;岩方裕一;近藤健;妹尾秀男 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法。首先形成洛氏硬度至少为60、并且包括基层材料和黏合剂的加强材料；然后在其上形成有电路的硅晶片被切割前，将加强材料附着在硅晶片没有形成电路的一面上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加强 材料 利用 这种 制造 集成电路 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片的加强材料，其特征在于：该加强材料在其上形成有电路的硅晶片被切割前被附着在硅晶片没有电路的一面上；所述加强材料包括基层材料和黏合剂，其洛氏硬度至少为60。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
