[发明专利]半导体器件及其制备方法无效
| 申请号： | 01801134.9 | 申请日： | 2001-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1419712A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 大西照人;浅井明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集电区102上形成有起基区之作用且由i－Si1－xGex层和P+Si1－xGex层构成的Si1－xGex层111b，且在P+Si1－xGex层上积了会成为发射区的Si覆盖层111a。在基区开口部分118内Si覆盖层111a之上形成有发射区引出电极129，它又包括形成在含有其浓度在它在单晶硅中的固溶度以下的磷的N－多晶硅层129b和含有高浓度磷的N+多晶硅层129a。抑制了高浓度的磷(P)过分地掺杂到Si覆盖层111a中，而将基区层内杂质的浓度分布维持得很合适。Si覆盖层111a的上部可含有P型杂质。NPN型双极晶体管中基区层内的P型杂质的浓度分布被维持得很合适。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，它包括：含有起集电区之作用的N型第一单晶半导体层的衬底；形成在上述第一单晶半导体层上、含有P型杂质且起基区之作用的P型第二单晶半导体层；形成在上述第二单晶半导体层上、其上部含有浓度在固溶度以下的磷且至少一部分起发射区之作用的第三单晶半导体层；及由形成在上述第三单晶半导体层上且含有浓度比上述第三单晶半导体层的上述上部中的磷的浓度还高的磷的半导体层制成的发射区引出电极。
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