[发明专利]具有改进的磁场范围的磁多层结构无效
| 申请号： | 01801706.1 | 申请日： | 2001-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1460272A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | K·－M·H·伦森;A·E·T·奎珀 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据需要的，例如在汽车应用中，一种加强的GMR或者TMR效应类型多层结构，其包括自由和固定铁磁性层，具有被描述的广阔的磁场范围。通过使用在交换－偏转人工反铁磁体中的非相邻铁磁性层作为固定层，获得改进。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 磁场 范围 多层 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁致电阻装置，包括支承用来提供磁致电阻效应的自由和固定铁磁层的衬底，所述的固定层包括人造的反铁磁性层系统(AAF)，和交换偏转层，该交换偏转层邻近和磁感应AAF层系统，其中AAF层系统具有大于或等于3的奇数个非相邻的铁磁性层。
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