[发明专利]射地－基地放大器自举模拟电源放大电路无效
| 申请号： | 01802906.X | 申请日： | 2001-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN1393052A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | T·索拉蒂 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22;H03K17/10;H03K17/082 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种射地－基地放大器自举模拟电源放大电路(1)包括一第一MOSFET(10)和一第二MOSFET(12)串联在一dc电压源节点(14)和一普通节点(gnd)之间。一rf输入信号节点(18)与第一MOSFET(10)的栅极相连并且一dc控制电压节点(26)与第二MOSFET(12)的栅极相连，单向导电元件(32)例如一二极管互连MOSFET耦合于第二MOSFET(12)的一漏极和栅极之间。此电路结构允许第一和第二MOSFET经得起一更大输出电压漂移，因此允许采用一更高电源电压并且因此导致一为一所给的负载值的实质增长最大输出电源能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基地 放大器 模拟 电源 放大 电路 | ||
【主权项】：
1.一种射地—基地放大器自举模拟电源放大电路(1)，包括串联并耦合于一dc电压源节点(14)和一普通节点(gnd)之间的一第一MOSFET(10)和一第二MOSFET(12)，一rf输入信号节点(18)耦合到所述第一MOSFET(10)的一栅极和一耦合到所述第二MOSFET(12)的一栅极的dc控制电压节点(26)，一单向—导电元件(32)耦合于所述第二MOSFET(12)的一漏极和所述栅极之间，和所述放大电路(1)从所述漏极的一输出。
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