[发明专利]通过红外辐射的快速和均匀加热衬底的装置无效
| 申请号： | 01803119.6 | 申请日： | 2001-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1404623A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 勒内·P·达克里特;弗兰克·拉波特;贝努特·皮尔瑞特;巴奇尔·塞马克 | 申请（专利权）人： | 电子产品联合工业加工公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚,李晓舒 |
| 地址： | 法国萨尔特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种加热装置，包括用于在具有透明窗口(34)的反应室(14)内侧提供衬底(12)的快速热处理的红外辐射灯(24、16)。红外辐射灯(24、26)分布在两个重叠的工作台(A、B)上，工作台在衬底(12)的共同一侧上延伸，下工作台(A)的灯(24)相对于上工作台(B)的灯(26)垂直布置，调节用于灯的每个单元的能量输入的装置在衬底(12)的边缘上提供了比中心更多的热量。反射器(36)被构造为分布栅格(38)，其设计成反射红外辐射，以控制不同加热区域之间的能量比率。从而，衬底(12)被均匀地加热，而不论其几何形状和尺寸如何。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 红外 辐射 快速 均匀 加热 衬底 装置 | ||
【主权项】：
1.一种衬底(12)的加热装置，包括红外辐射灯(24、26)，其被设计为在封闭的反应室(14)内进行衬底的快速热处理，封闭的反应室包括透明窗口(34)，所述红外辐射穿过该窗口，其特征在于：红外灯(24、26)布置在两个重叠的工作台(A、B)上，工作台在衬底(12)的单独一侧上延伸，下工作台(A)的灯(24)相对于上工作台(B)的灯(26)垂直布置；用于调节各组灯(24、26)的供给能量的装置确保了在衬底(12)边缘上的加热强于在衬底中央的加热；并且，一个分布栅格(38、138)形式的反射器(36、136)设计成反射并引导红外辐射，以控制不同加热区域之间的能量比率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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