[发明专利]金属膜的生产方法,具有这种金属膜的薄膜器件,以及具有这种薄膜器件的液晶显示器无效
申请号: | 01803151.X | 申请日: | 2001-08-02 |
公开(公告)号: | CN1404626A | 公开(公告)日: | 2003-03-19 |
发明(设计)人: | Y·哈塔;A·马特苏莫托;S·李 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/3213 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明,陈霁 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种用来制作薄膜器件的金属膜的方法,使之具有一定的锥角。此方法是一种改进了的精细加工方法,通过湿法腐蚀步骤和干法腐蚀步骤的组合生产方法来生产诸如薄膜器件的光闸膜之类的金属膜。预先形成抗蚀剂膜的剖面形状,使之在二端部处具有一定的锥角。因此,在干法腐蚀步骤中,腐蚀剂气体能够沿抗蚀剂的侧壁平滑地流过,因而能够形成金属膜,使之具有沿腐蚀剂气体流线的平缓锥角。于是,根据本发明,有可能明显地改善诸如待要用于LCD的TFT之类的薄膜器件的生产效率和质量。 | ||
搜索关键词: | 金属膜 生产 方法 具有 这种 薄膜 器件 以及 液晶显示器 | ||
【主权项】:
1.一种用来生产金属膜的方法,此方法包含:第一步骤,在给定衬底的表面上淀积金属膜;第二步骤,在金属膜上涂敷抗蚀剂材料以形成抗蚀剂膜;第三步骤,用光刻方法形成抗蚀剂膜的抗蚀剂图形;第四步骤,在未被抗蚀剂膜覆盖的金属膜部分上执行湿法腐蚀;第五步骤,在抗蚀剂膜的抗蚀剂图形上执行氧烧蚀;第六步骤,执行干法腐蚀,以便在金属膜剖面二端部上形成锥形形状;以及第七步骤,清除抗蚀剂图形,其中在第二步骤中,以抗蚀剂膜剖面二端部具有一定锥角的方式制作抗蚀剂膜,而在第五步骤中,在抗蚀剂图形上执行氧烧蚀,以便金属膜在抗蚀剂图形剖面二端部处被暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造