[发明专利]薄膜磁传感器

摘要

本发明提供结构简单、具有高的检测灵敏度而且减少因温度变化等引起测量误差的薄膜磁传感器。在本发明的薄膜磁传感器中，将巨磁阻薄膜两侧配置软磁性薄膜并设置电气端子的元件5、以及巨磁阻薄膜两侧配置导体膜并设置电气端子的元件10作为电桥电路的2个桥臂。元件10的电阻值对于磁场的灵敏度在小磁场中实质上为零，而对磁场以外的原因引起的电阻值变化与元件5相等。由于电桥电路的输出正比于元件5与元件10的电阻值之差，因此从电桥电路的输出使磁场以外的变化因素抵消，所以能够正确测量磁场的值。

主权项

1.一种薄膜磁传感器，其特征在于，具有第1元件及第2元件，所述第1元件包括利用具有规定气隙长的气隙一分为二并且以规定膜厚及规定宽度与所述气隙接触的软磁性薄膜、埋入该软磁性薄膜的气隙中形成的巨磁阻薄膜、以及与一分为二的各软磁性薄膜电气连接的第1及第2端子，所述第2元件包括利用具有实质上与所述气隙长相等的气隙长的气隙一分为二并且以实质上与所述膜厚相等的膜厚及实质上与所述宽度相等的宽度与该气隙接触的导体膜、埋入该导体膜的气隙中形成的巨磁阻薄膜、以及与一分为二的各导体膜电气连接的第1及第2端子，将所述第1元件的第1端子与第1电阻的一端连接，将所述第1电阻的另一端与第2电阻的一端连接，将所述第2电阻的另一端与所述第2元件的第1端子连接，将所述第2元件的第2端子与所述第1元件的第2端子连接，从而形成电桥电路，在所述第1元件的第1端子与所述第2元件的第1端子之间加上规定的电压，根据所述第1元件的第2端子与所述第1电阻的所述另一端之间的电压检测磁场。