[发明专利]在连续多步抛光处理中防止晶片损伤的方法无效
| 申请号： | 01803276.1 | 申请日： | 2001-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1636272A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | S·邓顿;V·梁;L·张 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 用于在多阶段抛光操作中防止残余物在晶片表面上干燥的方法，该方法提高了晶片加工的生产量并延长了CMP操作中使用的抛光垫的使用寿命。该方法包括在晶片的第一抛光操作后检测第二抛光步骤中被抛光的晶片的抛光终点。终点检测终止在第一抛光操作中另一晶片的抛光并触发在第二抛光操作中先前晶片的过度抛光。在设定的周期后，在第二抛光操作中的先前晶片的过度抛光结束。最后，每个晶片移动到随后的加工操作，该操作可包括抛光操作或擦光操作。本发明的优点之一是，由于对于同一抛光垫总加工时间已增加，因此允许在台板垫进行更换之间抛光更大量的晶片，则在台板进行更换之间总的台板垫的使用得以最大化。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 抛光 处理 防止 晶片 损伤 方法 | ||
【主权项】：
1.在连续多步抛光操作中防止残余物在晶片表面上干燥的一种方法，该方法包含：在第一晶片(114)的第一抛光操作后检测在第二抛光操作中被抛光的第一晶片(114)的抛光终点；终止第二晶片(110)在第一抛光操作中的抛光和过度抛光在第二抛光操作中的第一晶片；第一晶片(114)在第二抛光操作中的过度抛光终止；以及各晶片(114，110)移动到随后的晶片加工操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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