[发明专利]半导体激光装置的制造方法有效
| 申请号： | 01803280.X | 申请日： | 2001-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1394371A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 齐藤公彦;和泉亮;松村英树 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,叶凯东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体衬底上层叠一包含一势阱层的半导体薄膜，半导体衬底及半导体薄膜被解理，在有加热的催化物质存在情况下，将通过解理获得的半导体衬底和半导体薄膜的解理面暴露在一种气氛中，该气氛是分解一种含N原子气体形成的，由此去除解理面的表面层并在该表面上形成氮化物层。随后在解理面上形成一种介质膜。根据上述技术，通过使用催化CVD装置，形成在解理表面上的自然氧化膜被去除，并且可形成一保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体激光器的方法，包含：在半导体衬底上叠层包含一有源层的半导体薄膜；解理半导体衬底和半导体薄膜；在存在被加热的催化剂物质的情况下，将通过解理得到的半导体衬底和半导体薄膜的解理面暴露在含N原子的气体分解而产生的气氛中，由此去除解理面的表面层并在表面上形成一氮化物层；以及随后在解理面上形成一介质膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井化学株式会社，未经三井化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01803280.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：通过因特网安排体育比赛和管理球迷的方法
- 下一篇：卷绕控制方法
