[发明专利]高产率气相沉积制备大型单壁化碳纳米管的方法无效
申请号: | 01803478.0 | 申请日: | 2001-01-05 |
公开(公告)号: | CN1418260A | 公开(公告)日: | 2003-05-14 |
发明(设计)人: | 刘杰 | 申请(专利权)人: | 杜克大学 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/22;C23C16/26 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 美国北*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种在气凝胶载有的金属催化剂上制备单壁化碳纳米管的改进的气相沉积方法。以催化剂的重量为基础,SWCNT的总产率经常为至少约100%,反应时间至少为约30分钟。 | ||
搜索关键词: | 高产 率气相 沉积 制备 大型 单壁化碳 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备单壁化纳米管的方法,包括:在气相条件下将含碳化合物沉积到含金属催化剂和气凝胶载体的负载催化剂上,同时在足够在气凝胶负载的催化剂上形成单壁化碳纳米管的温度和时间的反应条件下加热。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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