[发明专利]薄膜谐振器及其制造方法有效
| 申请号： | 01803660.0 | 申请日： | 2001-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1395752A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 金彦京 | 申请（专利权）人： | 门斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P7/00 | 分类号： | H01P7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 大韩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有增强性能的薄膜谐振器及其制造方法。所述薄膜谐振器包括一个支撑装置，一个第一电极，一个介电层和一个第二电极。支撑装置具有多个支柱并且在支柱上形成支撑层。在支撑层上依次形成第一电极，介电层和第二电极。该薄膜谐振器极其小而且能够高度集成，此外，谐振器介电层的厚度能够调节，以获得对包括射频，中频和短频多波段的集成。另外，由于其紧凑的衬底，该薄膜谐振器可以使干涉最小化而且具有理想的尺寸，即，使得该薄膜谐振器极其小，同时具有三维浮置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 谐振器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于滤去预定波段频率的薄膜谐振器，其特征在于：该薄膜谐振器包括：一个在衬底上形成多个支柱的支撑装置和一个在上述支柱上形成的支撑层；一个在上述支撑装置上形成的第一电极；一个在上述第一电极上形成的介电层；一个在上述介电层上形成的第二电极。
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