[发明专利]具有最佳锗分布的硅锗双级晶体管有效
| 申请号： | 01803892.1 | 申请日： | 2001-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1395745A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | W·克赖恩;R·拉奇纳;W·莫尔齐 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描绘了一种硅－锗双极晶体管，其中，在硅衬底(7)上形成第一n掺杂发射极区(1)和与其相接的第二p掺杂基极区(2)以及与其相接的第三n掺杂集电极区(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 最佳 分布 硅锗双级 晶体管 | ||
【主权项】：
1.硅-锗双极晶体管，其中，在硅衬底(7)内形成第一n掺杂发射极区1和与其相接的第二p掺杂的基极区(2)和与其相接的第三n掺杂的集电极区(3)，在发射极区(1)和基极区(2)之间形成第一空间电荷区(4)，以及在基极区(2)和集电极区(3)之间形成第二空间电荷区(5)，其中，基极区(2)和相邻的发射极区(1)的边缘区与锗形成合金，发射极区(1)的锗浓度(6)朝基极区(2)方向上升，第一空间电荷区(4)所在的结区内的锗浓度比发射区(1)稍微强烈地上升或下降，而基极区(2)内的锗浓度(6)比结区首先更强烈地上升。
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