[发明专利]晶片机械加工粘结带及其制造和使用方法有效
申请号: | 01803966.9 | 申请日: | 2001-11-21 |
公开(公告)号: | CN1395602A | 公开(公告)日: | 2003-02-05 |
发明(设计)人: | 相原伸;古贺仁 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | C09J7/02 | 分类号: | C09J7/02;B32B27/00;B29C47/86;B29C47/06;H01L21/301 |
代理公司: | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人: | 阎娬斌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种具有在基底层一面形成的粘结层的粘结带,当其所粘附的硅质晶片用切割机切成电路片时,利用其可以降低晶片上产生的豁口、凹痕或裂缝的尺寸。粘结带的粘结层的储存系数G″在15-35℃等于或大于1MPa,表示损失系数G″与储存系数G’之比的tanδ优选为小于或等于0.05。粘结层优选为基本由石蜡聚合物构成。 | ||
搜索关键词: | 晶片 机械 加工 粘结 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片处理粘结带,其在基底层的一面具有一层粘结层,所述晶片处理粘结带可以使一个6英寸直径的硅质晶片粘到所述的粘结层上并且将其底面磨薄到400μm的厚度,当利用切割机在15-35℃,切割速度为70mm/min,切割水维持在20℃下将硅质晶片全部切割成3mm2大小的电路片时,从而完成加工具有豁口或凹痕或裂缝最大长度小于等于30μm的电路片,所产生的豁口或凹痕或裂缝最大长度小于30μm的电路片的生产达到了占从硅质晶片上切割的电路片总数的90%以上。
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