[发明专利]氢渗透性结构体及其制造方法有效
| 申请号： | 01804543.X | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1398197A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 上村卓;吉田健太郎;奥田伸之;日方威 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥,张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氢渗透性结构体，其中包括含多孔性陶瓷的基材(1)和在该基材(1)上形成一种含钯(Pd)和钯以外的至少1种元素，并且，在规定的温度下氢的溶解量比钯单体少的氢渗透性膜(2)。在含多孔性陶瓷的基材(1)上用物理蒸镀法形成氢渗透性膜(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 渗透性 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氢渗透性结构体，其中包括：(1)含多孔性陶瓷的基材(1)和(2)在上述基材(1)上形成一种含有钯和钯以外的至少1种元素，并在规定的温度下，氢的溶解量比钯单体少的氢渗透性膜(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01804543.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
