[发明专利]氢渗透性结构体及其制造方法有效
申请号: | 01804543.X | 申请日: | 2001-12-04 |
公开(公告)号: | CN1398197A | 公开(公告)日: | 2003-02-19 |
发明(设计)人: | 上村卓;吉田健太郎;奥田伸之;日方威 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 范明娥,张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 氢渗透性结构体,其中包括含多孔性陶瓷的基材(1)和在该基材(1)上形成一种含钯(Pd)和钯以外的至少1种元素,并且,在规定的温度下氢的溶解量比钯单体少的氢渗透性膜(2)。在含多孔性陶瓷的基材(1)上用物理蒸镀法形成氢渗透性膜(2)。 | ||
搜索关键词: | 渗透性 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氢渗透性结构体,其中包括:(1)含多孔性陶瓷的基材(1)和(2)在上述基材(1)上形成一种含有钯和钯以外的至少1种元素,并在规定的温度下,氢的溶解量比钯单体少的氢渗透性膜(2)。
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